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[发明专利]用于Bipolar-CMOS工艺中有源区光学临近修正的方法-CN201010027228.1无效
发明人：阚欢;魏芳;陈福成 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-01-06 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于Bipolar-CMOS工艺中有源区光学临近修正的方法，所述Bipolar-CMOS工艺中，Bipolar有源区的设计尺寸远大于CMOS有源区的设计尺寸，对Bipolar有源区进行规则式光学临近修正，对CMOS有源区进行模型式光学临近修正。本发明能够节省Bipolar-CMOS工艺中有源区光学临近修正的运算时间和运行成本。
用于 bipolar cmos 工艺有源光学临近修正方法

[发明专利]包括多个光学有源区的半导体激光器-CN02805119.X无效
发明人：约翰·H·马什;金新成 -专利权人：格拉斯哥大学理事会
申请日： 2002-02-15 - 公布日： 2004-09-08 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本发明通过提供半导体激光器件(10)解决上述问题，该器件包括：多个光学有源区(240)；每个光学有源区包括量子阱(QW)结构(77)；相邻的光学有源区由光学无源区(245)隔开；该/每个光学无源区(245相邻光学有源区(240)之间的间隔通常可称作“分段”。
包括光学有源半导体激光器

[实用新型]显示装置-CN202320495619.9有效
发明人：金一南;文胜铉;梁铜彧;李铉大;赵刚彬;车高恩;黄熙喆 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10K59/60 文献下载
摘要：一种显示装置包括：有源区和定位在所述有源区周围的第一非有源区；基底；多个像素，设置在所述有源区中并且发射光；光源单元，设置在所述第一非有源区中并且发射光；多个光学传感器，设置在所述有源区中并且感测由所述光源单元发射的入射光；封装层，设置在所述多个像素、所述多个光学传感器和所述光源单元上；以及散射图案层，在所述第一非有源区中设置在所述封装层上并且具有多个孔。
显示装置

[发明专利]光电装置-CN201780038799.5在审
发明人：余国民;H.阿贝迪亚西;D.勒罗斯;A.S.纳格拉;P.斯里尼瓦桑;H.琼斯 -专利权人：洛克利光子有限公司
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：所述装置包括：衬底；位于所述衬底顶部的外延结晶包层；以及在所述外延结晶包层上方的光学有源区；其中所述外延结晶包层的折射率小于所述光学有源区的折射率，使得所述光电装置的光功率被限制在所述光学有源区。
光电装置光学有源区外延结晶折射率包层衬底包层的光功率制造

[发明专利]光电组件、半导体结构和方法-CN202080080564.4在审
发明人：安德烈亚斯·比贝尔斯多夫;斯特凡·伊莱克;费利克斯·费克斯;克里斯托弗·克伦普;因斯·皮聪卡;彼得鲁斯·松德格伦;克里斯蒂安·伯格;阿纳·卡涅夫采 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构，其包括n型掺杂的第一层、掺杂有第一掺杂物的p型掺杂的第二层和布置在n型掺杂的第一层与p型掺杂的第二层之间并且具有至少一个量子阱的有源层。半导体结构的有源层被划分为多个第一光学有源区域、至少一个第二区域和至少一个第三区域。在此，多个第一光学有源区域相互间隔开地布置成六边形图案。有源区域中的至少一个量子阱在至少一个第二区域中具有与在多个第一光学有源区域和至少一个第三区域中相比更大的带隙，其中，尤其通过量子阱混合改变带隙。至少一个第二区域包围多个第一光学有源区域。
光电组件半导体结构方法

[发明专利]光学器件中的或与之相关的改进-CN02804018.X有效
发明人：克雷格·J·汉密尔顿 -专利权人：格拉斯哥大学理事会
申请日： 2002-01-23 - 公布日： 2004-09-15 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：本发明公开了一种改进的光学器件(110)，诸如激光器、调制器、放大器、开关等。本发明提供一种光学器件(110)，包括：光学有源区(150)，其具有输入/输出端(165)；以及，光学无源区(155，160)，其从该光学有源区(150)的输入/输出端(165，170)延伸至该器件(110
光学器件中的与之相关改进

[发明专利]平面内可切换电泳显示器件-CN200780032396.6无效
发明人： S·J·鲁森达尔;M·T·约翰逊 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2007-08-27 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： G02F1/167 文献下载
摘要：包括多个像素(200)的一种显示器件，每个像素包括在电场的影响下可以在像素的存储区(20)和有源区(24)之间移动的带电粒子(28)。在有源区(24)内的带电粒子(28)的数目确定了像素(200)的光学外观，并且使用存储区(20)存储离开有源区(24)的带电粒子(28)。每个像素(200)包括足够数目的带电粒子以便使存储区(20)和有源区(24)两者饱和，从而移动附加的带电粒子到这些区不会显著地影响这些区的光学外观。因此，在像素(200)内总是有足够多数目的带电粒子(28)可以利用以使有源区(24)饱和，并且即使在有源区(24)饱和时也可使存储区(20)饱和。
平面切换电泳显示器件

[发明专利]光学器件在散热片上的安装-CN02804023.6无效
发明人：克雷格·J·汉密尔顿;约翰·H·马什 -专利权人：格拉斯哥大学理事会
申请日： 2002-01-23 - 公布日： 2004-04-07 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：公开了一种安装在散热片(28；28a)上的改进光学器件(10；10a)，如包括诸如激光器、调制器、放大器、开关结构等的半导体光学器件或光－电器件。本发明提供一种光学有源器件(10；10a)，其包括具有有源区(14；14a)和设置在有源区(14；14a)的一端或多端(24，26；26a)的光学无源区(20；22)的器件体(12；12a)以及散热片(28；28a)；器件体(12；12a)和散热片(28；28a)彼此保持热联结，使得邻近有源区(14；14a)端的至少一个光学无源区(20，22；22a)的第一端设置在散热片(28；28a)的区域内，而所述至少一个光学无源区
光学器件散热片安装

[发明专利]具有围绕光学元件用开口以防止应力损伤的屏障的PIC结构-CN202210898549.1在审
发明人：尼可拉斯·A·帕罗莫夫;J·K·乔;M·拉比;蒋昀垚;K·拉马钱德兰;帕拉比·达斯 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明涉及具有围绕光学元件用开口以防止应力损伤的屏障的PIC结构。一种光子集成电路(PIC)结构包括至少位于衬底上方的有源层中的有源区，有源区中包括多个晶体管。多个电介质互连层位于有源区上方；并且开口穿过多个电介质互连层限定。开口至少延伸到有源层。屏障位于多个电介质互连层内并围绕开口。光学元件位于开口中。
具有围绕光学元件开口防止应力损伤屏障 pic 结构

[发明专利]光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法-CN201911259692.0有效
发明人：舒强;王占雨;王何宁;覃柳莎 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法，光学邻近修正方法包括：提供图形单元，包括沿第一方向延伸且沿第二方向平行排列的多个栅极图形，第一方向和第二方向相垂直，图形单元还包括与栅极图形相交的有源区图形，有源区图形露出栅极图形在第一方向的线端；对有源区图形沿第一方向进行延展处理形成延展后有源区图形，延展后有源区图形露出栅极图形在第一方向的线端，栅极图形中与延展后有源区图形交叠边作为第一类型边，未与延展后有源区图形交叠的且沿第一方向延伸的边作为第二类型边；将第一类型边分割为多个第一类型片段，将第二类型边分割为多个第二类型片段；对第一类型片段和第二类型片段进行光学邻近修正。本发明提高光学邻近修正的精度。
光学邻近修正方法掩膜版制作方法

[发明专利]氮化物半导体垂直腔面发射激光器-CN200610111208.6无效
发明人：斯科特·W·科尔扎因;戴维·P·保尔 -专利权人：安华高科技ECBUIP（新加坡）私人有限公司
申请日： 2006-08-15 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：垂直生长部沿横向位于第一光学反射器附近，横向生长部包括沿垂直方向位于第一光学反射器至少一部分上的氮化物半导体材料。有源区具有沿垂直方向位于基区的横向生长部至少一部分上的至少一个氮化物半导体材料量子阱，并包括第一导电类型的第一掺杂剂。接触区包括沿横向位于有源区附近的氮化物半导体材料和与第一导电类型相反的第二导电类型的第二掺杂剂。第二光学反射器沿垂直方向位于有源区上，并与第一光学反射器一起形成垂直光学腔，该光学腔与有源区至少一个量子阱的至少一部分重叠。本发明还描述了制造VCSEL的方法。
氮化物半导体垂直发射激光器

[发明专利]显示面板和显示装置-CN202310260141.6在审
发明人：郑裕澔 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10K59/12 文献下载
摘要：所述显示面板包括：包括显示区的基板，所述显示区包括第一光学区和位于所述第一光学区的外部的正常区，所述第一光学区包括中心区和位于所述中心区的外部的边框区；设置在所述中心区中的多个发光器件；设置在所述边框区中的多个发光器件；多个晶体管，所述晶体管设置在所述边框区中并且包括多个源极‑漏极图案和多个有源层；以及连接图案，所述连接图案由与所述多个有源层中的至少一个有源层相同的材料形成并且连接至位于所述中心区中的多个发光器件中的至少一个发光器件
显示面板显示装置

[发明专利]具有集成的透镜的封装件及晶片规模制造方法-CN200580028695.3无效
发明人： C·德维纶纽夫;G·哈普斯顿;D·B·塔克尔曼 -专利权人：德塞拉股份有限公司
申请日： 2005-08-25 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： H01L31/0203 文献下载
摘要：本发明提供一种具有集成在覆盖层(12)中的一光学元件(14)的覆盖的芯片(10)，该芯片包括具有一前表面(18)、一光学有源电路区(16)以及设置在该前表面处的粘结垫(20)。该芯片被至少部分地光学半透明或透明的单体覆盖层(12)所覆盖，该单体覆盖层安装到芯片前表面上，该芯片具有集成在单体覆盖层中的至少一个光学元件(14)。覆盖层(12)与光学有源电路区(16)对齐且沿垂直方向与光学有源电路区间隔开。
具有集成透镜封装晶片规模制造方法

[发明专利]外腔半导体激光器及反射式半导体光学放大器的芯片集成-CN202310222030.6在审
发明人：李若林 -专利权人：珠海映讯芯光科技有限公司
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：本发明公开了一种外腔半导体激光器及反射式半导体光学放大器的芯片集成，由有源RSOA芯片与无源光子芯片经RSOA通道和光波导耦合对接集成，有源RSOA芯片与无源光子芯片的耦合端面镀有光学抗反射膜，有源RSOA芯片的另一端面镀有光学高反射膜，在无源光子芯片的光波导上设有波导位相控制区、波导滤波反馈区和波导光学耦合器，波导位相控制区和波导滤波反馈区均设有用于改变光波导折射率的电极，RSOA通道包括增益RSOA通道和放大RSOA通道构成反射式半导体光学放大器，增益RSOA通道和与之耦合光波导上的波导位相控制区和波导滤波反馈区构成外腔半导体激光器。本发明在光强放大的同时保持光的相干性，避免光学杂散效应。
半导体激光器反射半导体光学放大器芯片集成

[发明专利]一种高级联度带间级联半导体激光器有源区结构-CN202211644627.1在审
发明人：黄帅;蒋若梅;谭杨;谢修敏;徐强;孔樊林;李潇;路小龙;宋海智 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本发明提出一种高级联度带间级联半导体激光器有源区结构，该有源区结构采用有载流子再平衡设计和短注入区设计。本发明能够进一步提高有源区中的光学限制因子，有源级联区中的光学限制因子相应提高，增加器件的增益；使得电子和空穴的阈值载流子浓度更加对称，降低内部损耗，抑制俄歇复合，降低阈值电流；级联级数的增加使得阈值电流进一步降低，同时由于级联数的增加，激光器的发射功率也因此成倍数的增加；采用本发明有源区结构设计的带间级联半导体激光器，在室温且低阈值电流的条件下能够实现激射波长7.1μm。
一种级联度带间半导体激光器有源结构

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